英特尔与镁光研发出3位/单元的闪存技术

英特尔与镁光当地时间周二上午表示,它们已经研发出更为密集的NAND快闪记忆体,它基于34nm制程构建,每个存储单元可以装入3bit的数据.按这样的密度,他们可以在不到0.2平方英寸的芯片内装入4GB的容量,34nm制程还可以降低成本,生产更多外形小巧,存储密度更大的闪存产品.